電氣成套設(shè)備多晶澆注行業(yè)諧波治理
1、 概述：
1. 中多晶硅鑄錠爐是多晶硅制造的關(guān)鍵設(shè)備，其工藝流程的穩(wěn)定性，設(shè)備控制的穩(wěn)定性和先進(jìn)性直接關(guān)系到是否能生產(chǎn)出合格的硅錠，而合格的硅錠又直接決定了硅片制成的電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
2. 多晶硅鑄錠一般工程應(yīng)用廣泛采用交流感應(yīng)加熱溶化方式，主要原因是通過交流擾動攪拌方式，不斷打斷晶粒的生長，使晶微小成多晶狀態(tài)，晶粒細(xì)化。中頻爐磁場對熔化的原料有電磁擾動的效應(yīng)，有利于成分的均勻和浮渣，所以目前多晶硅鑄錠爐的電源一般均采用中頻電源熔煉方式。
3. 中頻真空感應(yīng)熔煉和單向凝固技術(shù)，具有制備較大重量的方形多晶硅錠的能力。
⑴、中頻熔煉爐的組成：
中頻電源柜、補(bǔ)償電容、爐體和水冷電纜、減速機(jī)等。
⑵、在電力系統(tǒng)中，經(jīng)統(tǒng)計分析，中頻電源是數(shù)量*大的諧波源。
6脈沖中頻電源：主要特征諧波為5、7、11、13次等。
12脈沖中頻電源：主要特征諧波為11、13、23、25、次等。
一般情況下，小型中頻電源采用6脈沖。
較大型中頻電源采用12脈沖。
4. 中頻熔煉爐在工作時主要分為三個階段：
⑴、加熱升溫階段；此時工作電流大，諧波量高，功率因數(shù)可達(dá)0.70.8左右。
⑵、熔化階段；此時工作情況與加熱升溫階段相似，處于大電流，此時處于高諧波含量狀態(tài)，功率因數(shù)可達(dá)0.750.82左右。
⑶、保溫出爐階段；此時工作電流小，（因爐溫已達(dá)到居里線位置，故繼續(xù)加大電流無意義），諧波含量較低，功率因數(shù)較低。
5. 多晶熔煉爐多采用2002500HZ中頻電源進(jìn)行加熱，其功率范圍為202500KW。
6. 多晶硅鑄錠爐的中頻電源在工作過程中多產(chǎn)生大量諧波，導(dǎo)致電網(wǎng)中的諧波污染非常嚴(yán)重。諧波使電能傳輸和利用的效率降低，使電氣設(shè)備過熱，產(chǎn)生振動和噪音，并使其絕緣設(shè)備加速老化，使用壽命降低，甚至發(fā)生故障和燒毀，對于自身為自動化控制的影響不可忽視，會使**系數(shù)降低，產(chǎn)品質(zhì)量下降，諧波還會引起自動化裝置誤動作，使電能計量增加。
多晶澆注設(shè)備
原理介紹
①. 連接方式；并聯(lián)連接于單臺中頻電源交流進(jìn)線端子上，為就地諧波治理及無功補(bǔ)償方式。
②. 額定容量；根據(jù)用戶單位充放電電源功率（KW）設(shè)計。
③. 濾波方式；調(diào)諧濾波。
④. 控制方式；三相共補(bǔ)、具有手動、自動切換功能。
⑤. 投切方式；編碼設(shè)置投切。
⑥. 投切器件；晶閘管開關(guān)或交流接觸器。
裝置特點；
①. 控制器通過采集到的電壓、電流、計算出有功功率、無功功率及需補(bǔ)償容量，控制器根據(jù)設(shè)定的濾波及補(bǔ)償支路數(shù)據(jù)以自動方式投切。
②. 各支路分擔(dān)合理，功率因數(shù)可達(dá)到0.950.99之間，且不存在過補(bǔ)償現(xiàn)象。
③. 可實時監(jiān)控電網(wǎng)電壓、電流、頻率、有功、無功功率因數(shù)、諧波畸變率等運行即時數(shù)據(jù)。
④. 電容器投切裝置可由可控硅負(fù)荷開關(guān)或電容專用投切接觸器組成。晶閘管是無觸點投切，其兩端電壓點位為零（等電位）時投入濾波支路。電流過零時切除濾波支路，在投切過程中，電網(wǎng)無暫態(tài)沖擊，無合閘涌流沖擊。
⑤. 散熱方式：強(qiáng)制風(fēng)冷。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
①, GB/T14549-93[電能質(zhì)量·公用電網(wǎng)諧波]標(biāo)準(zhǔn)。
②. GB/T15576-93[低壓無功功率靜態(tài)補(bǔ)償裝置總技術(shù)條件]標(biāo)準(zhǔn)。
③. GB/0229-1998[電抗器]標(biāo)準(zhǔn)。
④. GB50227-1995[并聯(lián)電容器裝置設(shè)計規(guī)范]標(biāo)準(zhǔn)。
⑤. 0.4KV電壓側(cè)電壓畸變率THDu5，諧波電流值低于國標(biāo)GB/T14549-93電流在0.38KV的允許電流值。
⑥. 功率因數(shù)0.950.99的*狀態(tài)。
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